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SI2300-TP
N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
Numero di parte
SI2300-TP
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23
Dissipazione di potenza (massima)
1W
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.5A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
4.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
482pF @ 10V
Vg (massimo)
±10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
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