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SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
Numero di parte
SI2336DS-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipazione di potenza (massima)
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
5.2A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
15nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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