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SI2302ADS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Numero di parte
SI2302ADS-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipazione di potenza (massima)
700mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.1A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.2V @ 50µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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