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SI1058X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89
Numero di parte
SI1058X-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo del fornitore
SC-89-6
Dissipazione di potenza (massima)
236mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
91 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.55V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
5.9nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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