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SI1002R-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Numero di parte
SI1002R-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SC-75A
Pacchetto dispositivo del fornitore
SC-75A
Dissipazione di potenza (massima)
220mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
610mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
36pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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