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SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
Numero di parte
SI1016CX-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-563, SOT-666
Potenza: max
220mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
SC-89-6
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
396 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
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