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3N163-E3
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
Numero di parte
3N163-E3
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-72
Dissipazione di potenza (massima)
375mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
50mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
250 Ohm @ 100µA, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 10µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3.5pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
±30V
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