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TP65H050WS
MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3
Numero di parte
TP65H050WS
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247-3
Dissipazione di potenza (massima)
119W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
34A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 400V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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