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TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Numero di parte
TPN2R304PL,L1Q
Serie
U-MOSIX-H
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
175°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dissipazione di potenza (massima)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.4V @ 0.3mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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