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TPN22006NH,LQ
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Numero di parte
TPN22006NH,LQ
Produttore/Marchio
Serie
U-MOSVIII-H
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dissipazione di potenza (massima)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
9A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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