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TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Numero di parte
TPH2900ENH,L1Q
Produttore/Marchio
Serie
U-MOSVIII-H
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOP Advance (5x5)
Dissipazione di potenza (massima)
78W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
33A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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