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TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Numero di parte
TK6Q65W,S1Q
Produttore/Marchio
Serie
DTMOSIV
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pacchetto dispositivo del fornitore
I-PAK
Dissipazione di potenza (massima)
60W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
5.8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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