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TK6P60W,RVQ

TK6P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Numero di parte
TK6P60W,RVQ
Serie
DTMOSIV
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
DPAK
Dissipazione di potenza (massima)
60W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Super Junction
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6.2A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di TK6P60W,RVQ
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