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TK65G10N1,RQ
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Numero di parte
TK65G10N1,RQ
Produttore/Marchio
Serie
U-MOSVIII-H
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D2PAK
Dissipazione di potenza (massima)
156W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
65A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
81nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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