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TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Numero di parte

TK3A65D(STA4,Q,M)

Produttore/Marchio

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

Stato della parte

Active

Confezione

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto/custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo del fornitore

TO-220SIS

Dissipazione di potenza (massima)

35W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

3A (Ta)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

2.25 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±30V

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