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TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
Numero di parte
TK39J60W,S1VQ
Produttore/Marchio
Serie
DTMOSIV
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-3P(N)
Dissipazione di potenza (massima)
270W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Super Junction
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
38.8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 300V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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