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TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Numero di parte
TK32E12N1,S1X
Serie
U-MOSVIII-H
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220
Dissipazione di potenza (massima)
98W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
120V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
60A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
13.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 60V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di TK32E12N1,S1X
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