Toshiba Semiconductor and Storage
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CRZ12(TE85L,Q,M)
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CRZ12(TE85L,Q,M)

X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
Numero di parte
CRZ12(TE85L,Q,M)
Produttore/Marchio
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
-
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Tolleranza
±10%
Pacchetto/custodia
SOD-123F
Potenza: max
700mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
S-FLAT (1.6x3.5)
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If
1V @ 200mA
Corrente - Dispersione inversa @ Vr
10µA @ 8V
Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)
12V
Impedenza (max) (Zzt)
30 Ohms
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