Acquista Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

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BAS516,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Numero di parte

BAS516,H3F

Produttore/Marchio

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Stato della parte

Active

Confezione

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo del fornitore

ESC

Tipo di diodo

Standard

Corrente - Media rettificata (Io)

250mA

Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Corrente - Dispersione inversa @ Vr

200nA @ 80V

Tensione - CC inversa (Vr) (Max)

100V

Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

3ns

Temperatura operativa - Giunzione

150°C (Max)

Capacità @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

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