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TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Numero di parte
TH58BYG2S3HBAI6
Produttore/Marchio
Serie
Benand™
Stato della parte
Active
Confezione
Tray
Tecnologia
FLASH - NAND (SLC)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
67-VFBGA
Pacchetto dispositivo del fornitore
67-VFBGA (6.5x8)
Tensione - Alimentazione
1.7 V ~ 1.95 V
Tipo di memoria
Non-Volatile
Dimensione della memoria
4Gb (512M x 8)
Orario di accesso
25ns
Frequenza dell'orologio
-
Formato memoria
Flash
Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina
25ns
Interfaccia di memoria
Parallel
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