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STS20N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Numero di parte
STS20N3LLH6
Produttore/Marchio
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Dissipazione di potenza (massima)
2.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
20A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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