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STL100N12F7

MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT

Numero di parte

STL100N12F7

Produttore/Marchio

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F7

Stato della parte

Active

Confezione

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo del fornitore

PowerFlat™ (5x6)

Dissipazione di potenza (massima)

136W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

120V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

100A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

46nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 60V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±20V

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