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STI33N60M2

STI33N60M2

MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
Numero di parte
STI33N60M2
Produttore/Marchio
Serie
MDmesh™ II Plus
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
I2PAK (TO-262)
Dissipazione di potenza (massima)
190W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
26A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
45.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1781pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±25V
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Parole chiave di STI33N60M2
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