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STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Numero di parte
STH310N10F7-6
Produttore/Marchio
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pacchetto dispositivo del fornitore
H2PAK-6
Dissipazione di potenza (massima)
315W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
180A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
12800pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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