L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
SCT50N120
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Numero di parte
SCT50N120
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
HiP247™
Dissipazione di potenza (massima)
318W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
65A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
122nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 400V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
+25V, -10V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 53329 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di SCT50N120
SCT50N120 Componenti elettronici
SCT50N120 Vendita
SCT50N120 fornitore
SCT50N120 Distributore
SCT50N120 Tabella dati
SCT50N120 Fotografie
SCT50N120 Prezzo
SCT50N120 Offerta
SCT50N120 Prezzo più basso
SCT50N120 Ricerca
SCT50N120 Acquisto
SCT50N120 Patata fritta