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GKI10194
MOSFET N-CH 100V 7A 8DFN
Numero di parte
GKI10194
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-DFN (5x6)
Dissipazione di potenza (massima)
3.1W (Ta), 77W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
7A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
17.6 mOhm @ 20.4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
55.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3990pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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