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DKI10299

DKI10299

MOSFET N-CH 100V 28A TO-252
Numero di parte
DKI10299
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252
Dissipazione di potenza (massima)
47W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
28A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 650µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
35.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2540pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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