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TT8M1TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
Numero di parte
TT8M1TR
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead
Potenza: max
1W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-TSST
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.5A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
72 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 10V
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