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RZR020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Numero di parte
RZR020P01TL
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SC-96
Pacchetto dispositivo del fornitore
TSMT3
Dissipazione di potenza (massima)
1W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 6V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±10V
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RZR020P01TL Componenti elettronici
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