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RW1C020UNT2R
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
Numero di parte
RW1C020UNT2R
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-WEMT
Dissipazione di potenza (massima)
400mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±10V
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