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RUE002N02TL
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Numero di parte
RUE002N02TL
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Not For New Designs
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo del fornitore
EMT3
Dissipazione di potenza (massima)
150mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
200mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.2V, 2.5V
Vg (massimo)
±8V
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RUE002N02TL Componenti elettronici
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