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RRS110N03TB1
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Numero di parte
RRS110N03TB1
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOP
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
11A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
12.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
33nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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