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RQ7E110AJTCR

RQ7E110AJTCR

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Numero di parte
RQ7E110AJTCR
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo del fornitore
TSMT8
Dissipazione di potenza (massima)
1.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
11A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V
Vg (massimo)
±12V
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Parole chiave di RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR Componenti elettronici
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