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RQ6E030ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
Numero di parte
RQ6E030ATTCR
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo del fornitore
TSMT6 (SC-95)
Dissipazione di potenza (massima)
-
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
91 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
5.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
-
Vg (massimo)
-
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RQ6E030ATTCR Componenti elettronici
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