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RQ3P300BETB1

RQ3P300BETB1

RQ3P300BE IS A POWER MOSFET WITH
Numero di parte
RQ3P300BETB1
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-HSMT (3.2x3)
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Ta), 32W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10A (Ta), 36A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
19.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 50V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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Parole chiave di RQ3P300BETB1
RQ3P300BETB1 Componenti elettronici
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