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RHP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Numero di parte
RHP020N06T100
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-243AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
MPT3
Dissipazione di potenza (massima)
500mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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