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RD3T100CNTL1

RD3T100CNTL1

NCH 200V 10A POWER MOSFET
Numero di parte
RD3T100CNTL1
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252
Dissipazione di potenza (massima)
85W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di RD3T100CNTL1
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