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R8002ANX
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
Numero di parte
R8002ANX
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220FM
Dissipazione di potenza (massima)
35W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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