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HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Numero di parte
HS8K11TB
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-UDFN Exposed Pad
Potenza: max
2W
Pacchetto dispositivo del fornitore
HSML3030L10
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
7A, 11A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 15V
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