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ES6U3T2CR
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Numero di parte
ES6U3T2CR
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-WEMT
Dissipazione di potenza (massima)
700mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Schottky Diode (Isolated)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.4A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
1.4nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
70pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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