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EMG3T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Numero di parte
EMG3T2R
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SC-75, SOT-416
Potenza: max
150mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
EMT3
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA (ICBO)
Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Frequenza - Transizione
250MHz
Resistore - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)
-
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