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RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH
Numero di parte
RQK0607AQDQS#H1
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-243AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
UPAK
Dissipazione di potenza (massima)
1.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.4A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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RQK0607AQDQS#H1 Componenti elettronici
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