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RJL6018DPK-00#T0
MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
Numero di parte
RJL6018DPK-00#T0
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-3P
Dissipazione di potenza (massima)
200W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
27A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
265 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
98nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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