Acquista Renesas Electronics America RJK0301DPB-02#J0 MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

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Schede tecniche

RJK0301DPB-02#J0

MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

Numero di parte

RJK0301DPB-02#J0

Produttore/Marchio

Renesas Electronics America

Serie

Stato della parte

Active

Confezione

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

SC-100, SOT-669

Pacchetto dispositivo del fornitore

5-LFPAK

Dissipazione di potenza (massima)

65W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

60A (Ta)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 10V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

4.5V, 10V

Vg (massimo)

+16V, -12V

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