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FK4B01100L1
CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET
Numero di parte
FK4B01100L1
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
4-XFLGA, CSP
Pacchetto dispositivo del fornitore
XLGA004-W-0808-RA01
Dissipazione di potenza (massima)
360mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.4A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 236µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
5.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 10V
Vg (massimo)
±8V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.5V, 4.5V
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