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NVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Numero di parte
NVD5865NLT4G
Produttore/Marchio
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
DPAK
Dissipazione di potenza (massima)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10A (Ta), 46A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
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