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NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Numero di parte
NVD5117PLT4G-VF01
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
DPAK
Dissipazione di potenza (massima)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
11A (Ta), 61A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
85nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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