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NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23
Numero di parte
NTR4101PT1G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipazione di potenza (massima)
420mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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