ON Semiconductor
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NTJD1155LT1G
Schede tecniche

NTJD1155LT1G

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Numero di parte
NTJD1155LT1G
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potenza: max
400mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
SC-88/SC70-6/SOT-363
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.3A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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