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NTHD2110TT1G
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Numero di parte
NTHD2110TT1G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo del fornitore
ChipFET™
Dissipazione di potenza (massima)
1.1W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1072pF @ 6V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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